Resumen de Modulación selectiva de superficies e interfases por medio de fotorreflectancia en heteroestructuras
F.N. Jiménez García, H. F. Gonzales Agudelo, C. Vargas-Hernández
Mediante la técnica de fotorreflectancia (FR) con láseres desfasados 180° es posible realizar un estudio selectivo de la superficie y de la interfase de una heteroestructura. Controlando adecuada-mente las intensidades relativas de los láseres mediante filtros de densidad neutra y las longitudes de onda empleadas en la modulación es posible seleccionar la región a estudiar en heteroestructu-ras. La modulación de las bandas se realiza con laseres cuya energía del fotón es igual o mayor que la brecha prohibida del semiconductor. Para mostrar las fortalezas de este tipo de técnica, se realizaron estudios en heteroestructuras de ZnSe/GaAs y CdTe/GaAs crecidas por medio de MBE (Molecular Beam Epitaxy). Es posible modular la interfase o regiones cercanas a la superficie o la interfase a pesar de que la longitud de penetración es pequeña comparada con el espesor de las pe-lículas, esto se debe a que la calidad de la misma permite difusión de los portadores de la película hacia el substrato modulando las respectivas bandas.
