Estudio zonal de películas de GaInAsSb/GaSb por fotorreflectancia

• Autores: D.G. Espinosa-Arbeláez, John Jairo Prías Barragán, G. A. Álvarez, Gerardo Fonthal, L. Tirado-Mejía
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 4, 2006, págs. 1555-1558
• Idioma: español
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• Resumen

  • Por medio de la técnica de fotorreflectancia en el Infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó el estudio zonal en la superficie de dos películas de Ga 1-X In X As Y Sb 1-Y fabricadas por la técnica de epitaxia en fase líquida. Las muestras AS12 y M45TQ fueron crecidas a 529 °C y 530 °C respectivamente, sobre sustratos de GaSb:Te con orientación cristalográfica (100), a partir de dos soluciones que difieren levemente en el contenido de As. Los espectros fueron tomados a una temperatura de 12 K para diferentes posiciones espaciales en la superficie de las películas y analizados con expresiones reportadas extensamente en la literatura especializada. De los respectivos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras las dependencias de las energías de transición y los parámetros de ensanchamiento con la posición espacial. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo de la respuesta óptica de cada material, logrando identificar las zonas espaciales en las cuales las muestras exhiben mayor densidad de defectos.