Back doping design in delta-doped AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

• Autores: H. Maaref, M.H. Gazzah, H. Mejri, I. Saidi, L. Bouzaïene
• Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 140, Nº. 6, 2006, págs. 308-312
• Idioma: inglés
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