Estudio de esfuerzos en la heteroestructuras ZnSe /GaAs (001) por medio de fotorreflectancia

• Autores: F.N. Jiménez García, C. Vargas-Hernández, Hernando Ariza Calderón
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 2, 2006, págs. 870-873
• Idioma: español
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• Resumen

  • Se presenta un análisis de los esfuerzos presentes en la película de ZnSe por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR). En el estudio de los esfuerzos se tiene en cuenta el desacople de red y la diferencia en los coeficientes de dilatación térmica entre el sustrato y la película. El esfuerzo por desacople de red es de compresión, mientras que el debido a los coeficientes de expansión térmica es de tensión. El cálculo muestra que el esfuerzo total tiende a cero debido a que la compresión y la tensión son del mismo orden, y en el espectro de FR no se aprecia un desdoblamiento de la banda de valencia en huecos ligeros y huecos pesados. Los ajustes de las curvas de FR se realizaron mediante una contribución de forma de línea de tercera derivada para un punto crítico 3D, M 0 . La dependencia de la energía de la transición fundamental E 0 con la temperatura se estudio empleando diferentes modelos teóricos.