Comparación del comportamiento eléctrico de diodos tipo schottky de la forma Ag-Si y Ag-(P)Si-Si

• Autores: M. Patiño, F. Racedo, L.F. Idrobo
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 1, 2006, págs. 137-140
• Idioma: español
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• Resumen

  • En el estudio de dispositivos semiconductores tales como diodos y transistores, es importante ana-lizar las características de corriente y voltaje de estos, con el propósito de identificar valores eléc-tricos típicos propios del funcionamiento de los mismos. En este trabajo se realiza una compara-ción de los voltajes de ruptura obtenidos de las curvas experimentales de I-V, de diodos tipo schottky con dos tipos de estructuras, la primera con un contacto rectificante entre silicio cristali-no tipo p y plata metálica; y la segunda una estructura similar a la anterior, a diferencia de que en esta se reemplazó la capa de oxido nativo presente entre el contacto rectificante, por una capa de silicio poroso. Se presentan los resultados obtenidos y una discusión de los mismos.