Fernando Gordillo Delgado, O. Zelaya-Angel, J. G. Mendoza Álvarez
El TiO2 es un semiconductor de energía de banda prohibida ancha con propiedades fotocatalíti-cas bien conocidas, las cuales tienen enorme potencial en procesos de control de contaminación de la fase líquida y gaseosa bajo la irradiación de luz ultravioleta. Dicha potencialidad aumentaría si el proceso fotocatalítico se pudiera dar con la presencia de luz visible. En este trabajo se reporta el crecimiento de películas delgadas de TiO2 usando sputtering reactivo de radio frecuencia (r.f.), variando la presión par-cial (O2/Ar/N) de N, con el fin de incorporar un bajo contenido de este en las mismas. La disminución del ancho de banda de energía prohibida de las películas con el contenido de N, fue obtenida usando un es-pectrofotómetro UV-Vis. La actividad fotocatalítica fue evaluada por la decoloración de una solución de azul de metileno en agua, en la cual fue inmersa cada película expuesta a la radiación de luz blanca pro-veniente de una lámpara de Xenón. La eficiencia de las películas bajo la acción de luz visible fue caracte-rizada midiendo con espectrofotómetro, la solución luego del proceso.
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