Composition dependent structural modification in relaxed Si<sub>1¿x </sub>Ge<sub> x </sub> films by 100MeV Au beam
- Autores: D. Kanjilal, A. Kanjilal
- Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 137, Nº. 7, 2006, págs. 371-375
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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