Changes in optical and electrical properties and surface recombination velocity of n-type GaN due to (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>S<sub> x </sub> treatment
- Autores: Yow-Jon Lin, Wen-Xiang Lin, Ching-Ting Lee, Feng-Tso Chien
- Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 137, Nº. 5, 2006, págs. 257-259
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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