Initial surface reactions in atomic layer deposition of Al~2O~3 on the hydroxylated GaAs(001)-4 x 2 surface

• Autores: S.-J. Ding, W. Chen, H.-L. Lu
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 48, 2005, págs. 7517-7522
• Idioma: inglés
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