Atomistic simulation of a 60^o shuffle dislocation segment migrating in a Ge/SiGe(001) epitaxial film

• Autores: F. Montalenti, A. Marzegalli
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 48, 2005, págs. 7505-7516
• Idioma: inglés
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