Three-dimensional electronic structures in the Si inversion layer of nanoscale metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

• Autores: J.H. Kim, T.W. Kim, J.H. Jung
• Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 137, Nº. 1, 2006, págs. 26-29
• Idioma: inglés
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