Effect of Ge content and profile in the SiGe base on the performance of a SiGe/Si heterojunction bipolar transistor

• Autores: M. K. Das, P. K. Basu, N. R. Das
• Localización: Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 47, Nº. 3, 2005, págs. 247-253
• Idioma: inglés
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