Equivalent circuit model for an insulated gate bipolar transistor

• Autores: C.-H. Kao, Y.-C. Liang, C.-C. Tseng
• Localización: IEE Proceedings: Electric power applications, ISSN 1350-2352, Vol. 152, Nº 6, 2005, págs. 1410-1416
• Idioma: inglés
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