Reliability studies of Hf-doped and NH3-nitrided gate dielectric for advanced CMOS application

• Autores: Y. K. Fang, S. F. Chen, C. W. Yang
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 152, Nº 5, 2005, págs. 407-410
• Idioma: inglés
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