High Electron Mobility in Solution-Cast and Vapor-Deposited Phenacyl-Quaterthiophene-Based Field-Effect Transistors: Toward N-Type Polythiophenes

• Autores: Joseph A. Letizia, Mark A. Ratner, Tobin J. Marks, Antonio Facchetti, Charlotte L. Stern
• Localización: Journal of the American Chemical Society: JACS, ISSN 0002-7863, Vol. 127, Nº. 39, 2005, págs. 13476-13477
• Idioma: inglés
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