First Results of AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate Using an Argon-Ion Implant-Isolation Technology

• Autores: M. Werquin, N. Vellas
• Localización: Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 46, Nº. 4, 2005, págs. 311-315
• Idioma: inglés
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