Resumen de Caracterización óptica de GaSb Y Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb por medio de fotorreflectancia en el infrarrojo cercano
John Jairo Prías Barragán, G. A. Álvarez, Hernando Ariza Calderón, D.G. Espinosa-Arbeláez, L. Tirado-Mejía
Empleando la técnica de fotorreflectancia en el infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó la caracteri-zación óptica de un monocristal de GaSb y dos películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb. Los espectros de fotorreflectancia fueron tomados en el rango de temperaturas de 12K a 200K y analizados con expresiones ampliamente reportados en la literatura especializada. De los respecti-vos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras la dependencia de la energía de transición interbanda [Eo(T)] y el parámetro de ensanchamiento [Go(T)] con la temperatura. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo entre las propiedades ópticas de cada material, obte-niéndose el valor de la energía interbanda Eo(T=0K) e identificando el principal proceso dispersivo en las películas del cuaternario.
