Fotoluminiscencia de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por epitaxia en fase líquida

• Autores: M. de los Ríos, J. Segura, Hernando Ariza Calderón, Gerardo Fonthal, L. Tirado-Mejía, C.A. Cárdenas
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, Nº. 1, 2005, págs. 67-70
• Idioma: español
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• Resumen

  • En éste trabajo se reporta la respuesta óptica en el rango del infrarrojo medio, obtenida por medio de la técnica de fotoluminiscencia a baja temperatura, de películas cuaternarias de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por Epitaxia en Fase Líquida. Las muestras fueron crecidas a partir de soluciones ricas en In, sobre sustratos monocristalinos de GaSb dopados con Te, con orientación (100). Se realizaron mediciones en diferentes puntos de las muestras permitiéndonos asociar la respuesta óptica con la homogeneidad del material fabricado y la morfología superficial del material a escala microscópica. Así mismo, el valor del ancho a la altura media de los picos de fotoluminiscencia muestra cualitativamente que las películas poseen buena calidad cristalina. Se determinaron las posiciones del excitón libre y de los excitones ligados para una de las muestras y se analizó su variación energéti-ca con la temperatura.