Cristalización por tratamiento térmico de películas de a-Ge/Al/vidrio

• Autores: I. Chambouleyron, F. Fajardo, A.R. Zanatta
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, Nº. 1, 2005, págs. 42-45
• Idioma: español
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• Resumen

  • Se estudia el proceso de cristalización de películas de germanio amorfo (a-Ge) depositadas sobre substratos de vidrio, el cual esta recubierto con una película de Al (~200 nm). Las películas de a-Ge fueron depositadas mediante la técnica de pulverización catódica. El tratamiento térmico de las películas se realizo sucesivamente en intervalos de 15 minutos, en un rango de temperaturas que varia entre 150 a 700 °C. Los resultados muestran que la temperatura de cristalización depende del espesor de la película de a-Ge. A temperaturas altas (>= 600 °C) se forma la aleación GexSi1-x y se induce la cristalización del Si, el cual es uno de los constituyentes del substrato.