Análisis de las concentraciones de In y As en la superficie de películas de GaInAsSb fabricadas por epitaxia en fase líquida

• Autores: J. Segura, Hernando Ariza Calderón, C. Vargas, J. Gómez, L. Tirado-Mejía
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, Nº. 1, 2005, págs. 38-41
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se presenta un análisis de las variaciones en la estequiometría de películas epitaxia-les de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL), a partir de medi-ciones de XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) realizadas después de 10 y 20 minutos de ero-sión con iones Ar+. Se observa la eliminación de óxidos superficiales así como cambios en la con-centración de In (x) y As (y), dichos cambios se asocian al comportamiento de estos elementos en el proceso de crecimiento y a la temperatura en la cual se ponen en contacto la solución líquida y el sustrato.