Origin of PL intensity increase of CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>:Eu<sup>2+</sup> phosphor after baking process for PDPs application
- Autores: S. Lee, D.Y. Jeon, J.H. Kang, K.Y. Jung, D.C. Lee, W.B. Im, Y.C. Kang
- Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 133, Nº. 3, 2005, págs. 197-201
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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