Hydrogen indium vacancy complex V<sub>In</sub>H<sub>4</sub> in n-type InP studied by positron-lifetime
- Autores: H.Z. Wang, T.N. Sun, W.D. Mao, N.F. Sun, Y.W. Zhao, Z. Wang, S.J. Wang
- Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 133, Nº. 1, 2005, págs. 39-42
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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