Temperature Dependence of the Power Gain and Scattering Parameters S~1~1¿ and S~2~2 of an RF nMOSFET with Advanced RF-CMOS Technology

• Autores: Y. S. Lin
• Localización: Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 44, Nº. 2, 2005, págs. 180-185
• Idioma: inglés
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