Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada

• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 841, 2024, págs. 14-14
• Idioma: español
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