Impact of technology scaling on the 1/f noise of thin and thick gate oxide deep submicron NMOS transistors

• Autores: K. S. Yeo, K. W. Chew, S. F. Chu
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 5, 2004, págs. 415-421
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)