Current-Driven Magnetization Reversal in a Ferromagnetic Semiconductor (Ga, Mn)As/GaAs/(Ga, Mn)As Tunnel Junction

• Autores: F. Matsukura, T. Kita, D. Chiba, Y. Sato
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 93, Nº. 21, 2004, pág. 216602
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)