Effect of layer thickness on the electrostatic potential in InGaN quantum wells

• Autores: S. Tanaka, M. Stevens, H. Marui, M.R. McCartney, F. A. Ponce, A. Bell
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4651-4653
• Idioma: inglés
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