Silicon doping dependence of highly conductive n-type Al<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>N
- Autores: J. Y. Lin, M. L. Nakarmi, K. Zhu, H.X. Jiang, K.H. Kim
- Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4669-4671
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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