AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN epilayers

• Autores: M. Khizar, K. H. Kim, Z. Y. Fan, J. Y. Lin, M. L. Nakarmi, H. X. Jiang
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4777-4779
• Idioma: inglés
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