Dispositivos de Microondas Activos y Pasivos para Electrónica de Alta Potencia y Alta Frecuencia con Nuevos Materiales y Estructuras Periódicas

• Martínez-Viviente, Félix Lorenzo ^[1] ; Gumula, Teresa ^[3] ; Meyler, Bori ^[4] ; Salzman, Joseph ^[4] ; Ruiz, Juan de Dios ^[1] ; Álvarez-Melcón, Alejandro ^[1] ; Boria, Vicente Enrique ^[2] ; Hinojosa, Juan ^[1]
  1. [1] Universidad Politécnica de Cartagena

     Universidad Politécnica de Cartagena

     Cartagena, España

     
  2. [2] Universidad Politécnica de Valencia

     Universidad Politécnica de Valencia

     Valencia, España

     
  3. [3] Centro Universitario de la Defensa
  4. [4] Israel Institute of Technology

  Mostrar afiliaciones +
• Localización: IV Congreso Nacional de i+d en Defensa y Seguridad DESEi+d 2016: Actas, 16, 17 y 18 de noviembre de 2016 / José Serna Serrano (dir. congr.), María del Pilar Sánchez Andrada (dir. congr.), Ignacio Álvarez Rodríguez (dir. congr.), 2016, ISBN 978-84-946021-3-9, págs. 3-11
• Idioma: español
• Enlaces
  • Texto Completo Libro (pdf)
• Resumen

  • Los sistemas de comunicaciones espaciales y móviles empleados en aplicaciones de defensa necesitan de dispositivos capaces de trabajar a frecuencias y potencias cada vez más altas, especialmente en las etapas de salida de satélites. Además, las restricciones de tamaño y peso de los circuitos construidos con estos componentes son cada vez más críticas debido a su influencia en el coste de los sistemas y de su lanzamiento al espacio. En este contexto, nuevos materiales y nuevas estructuras se han introducido en los últimos años con objeto de cumplir estas especificaciones. Entre los materiales y estructuras propuestos como alternativas a los semiconductores y diseños tradicionales, podemos citar el nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones con otros elementos del grupo III, así como las estructuras en guías de onda integradas en sustrato (SIW) basadas en metamateriales. Por un lado, el GaN y sus aleaciones presentan propiedades que le permiten trabajar en condiciones de alta temperatura, alta potencia y alta frecuencia. Además, la sensibilidad a la radiación ionizante de estos materiales es mucho menor que en Si o GaAs. Por otro lado, las estructuras SIW basadas en metamateriales son de gran interés en cuanto a reducción de tamaño y peso. Estos materiales y estructuras pueden funcionar en las condiciones extremas de temperatura o de exposición a radiación requeridas por las aplicaciones militares y espaciales. En la primera parte de este trabajo se presentarán resultados de la caracterización de transistores de GaN para alta frecuencia y alta potencia, así como una interpretación física de los procesos que pueden deducirse a partir de estas medidas. Junto a estos componentes activos, los circuitos de microondas emplean también componentes pasivos tales como filtros. La segunda parte del artículo estará dedicada al diseño de filtros compactos paso-banda SIW de altas prestaciones con estructuras periódicas basadas en el concepto de gap electromagnético (EBG).