Resumen de Caracterización estructural de películas de carbón sobre substratos de silicio crecido por la técnica HFCVD
C. Vargas-Hernández, J.I. Cárdenas-Jimènez, J. E. Sánchez
Se crecieron películas de carbón sobre substratos de Silicio por la técnica de HFCVD (Hot Fila-ment Chemical Vapor Deposition) y la caracterización estructural se realizó por medio de Espec-troscopia de Fotoelectrones generados por Rayos X (XPS). El análisis de las regiónes, C1s, Banda de Valencia y la región de los picos Si2p1, Si2s, y O1s respectivamente indican que la estructura de carbón depositada es del tipo DLC (Diamond Like Carbón), debido a la relaccion de intensidades entre los picos correspondientes a las hibridaciones sp2 y sp3. La información brindada por las energías de enlace de Si2p1 Si2s, y O1s nos permite detectar la presencia de SiO2 en la fase inter-media del crecimiento.
