Caracterización estructural de películas de carbón sobre substratos de silicio crecido por la técnica HFCVD

• Autores: C. Vargas-Hernández, J.I. Cárdenas-Jimènez, J. E. Sánchez
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 1, 2006, págs. 33-36
• Idioma: español
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• Resumen

  • Se crecieron películas de carbón sobre substratos de Silicio por la técnica de HFCVD (Hot Fila-ment Chemical Vapor Deposition) y la caracterización estructural se realizó por medio de Espec-troscopia de Fotoelectrones generados por Rayos X (XPS). El análisis de las regiónes, C1s, Banda de Valencia y la región de los picos Si2p1, Si2s, y O1s respectivamente indican que la estructura de carbón depositada es del tipo DLC (Diamond Like Carbón), debido a la relaccion de intensidades entre los picos correspondientes a las hibridaciones sp2 y sp3. La información brindada por las energías de enlace de Si2p1 Si2s, y O1s nos permite detectar la presencia de SiO2 en la fase inter-media del crecimiento.