Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

• Autores: José Jordán Martínez
• Directores de la Tesis: Enrique J. Dede (dir. tes.), Vicente Esteve Gómez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 2004
• Idioma: español
• ISBN: 84-370-5754-X
• Depósito Legal: V-5055-2003
• Tribunal Calificador de la Tesis: Javier Sebastián Zúñiga (presid.), José Miguel Espi Huerta (secret.), Leo Lorenz (voc.), Josep Balcells Sendra (voc.), José Millán Gómez (voc.)
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: TDX
• Resumen

  • Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet.

    Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito.

    Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas.

    Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.