Procesos de formación de centros Fa y (F2+)a en CaF2: Na
- Autores: José Manuel García Tijero
- Directores de la Tesis: Francisco Jaque Rechea (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1989
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Agulló López (presid.), Fernando Cussó (secret.), Manuel Yuste Llandres (voc.), Miguel Aguilar Gutiérrez (voc.), Justiniano Casas González (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Utilizando las tecnicas experimentales: espectroscopia de absorcion optica, luminiscencia fotoestimulada, termoluminiscencia y radioluminiscencia, r.P.E y medidas de corrientes electricas, se han investigado los mecanismos de formacion de centros f en caf2:na, tanto en cristales irradiados con rayos x como en cristales aditivamente coloreados. .Los centros fa(2) se forman por atrapamiento de electrones en bipolos sus centros de hueco complementarios son vk. .La destruccion de centros fa se produce en dos etapas: i) en cristales irradiados con rayos x la primera etapa es termoluminiscente teniendo lugar una recombinacion electron-hueco, en cristales coloreados aditivamente no hay termoluminiscencia y el proceso es una difusion de corto alcance que da lugar a la formacion de centros a partir de centros fa(1) segun un modelo que se propone para estos centros. Ii) en la segunda etapa tanto en cristales irradiados como coloreados aditivamente, el proceso consiste en un atrapamiento de vacantes por centros fa(2). Tambien se ha estudiado el blanqueo optico de centros por iluminacion en su banda de absorcion de menor energia atribuyendose a una absorcion secuencial de 2 fotones seguida de una disociacion desde el estado excitado.
