Resumen de Estudio de compuestos pertenecientes al sistema Cu (In,Ga)(Se,Te)
LA MEMORIA MUESTRA EL ESTUDIO DE LA FORMACION, ESTRUCTURA CRISTALINA Y PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE LOS COMPUESTOS PERTENECIENTES AL SISTEMA CUIN(SEX TE1-X)2 EN MATERIAL SINTETIZADO. TAMBIEN SE HAN ESTUDIADO DIVERSAS PROPIEDADES DE COMPUESTOS CUATERNARIOS PERTENECIENTES AL SISTEMA CU-IN-SE-TE Y DE CUGASE2 Y CUGATE2 CRECIDOS EN LAMINA DELGADA.
LA FINALIDAD DE ESTE ESTUDIO SE DEBE A QUE TODOS ESTOS COMPUESTOS TIENEN PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS.
EL ANALISIS DE LOS RESULTADOS DE LAS LAMINAS DEL SISTEMA CU-IN-SE-TE MUESTRA QUE LAS PROPIEDADES DE ESTOS MATERIALES SON ANALOGAS A LAS QUE POSEEN LOS COMPUESTOS TERNARIOS CUINSE2 Y CUINTE2 EXCEPTO EN: 1 EL PARAMETRO DE RED, DEPENDE LINEALMENTE CON LA COMPOSICION.
2- LOS VALORES ENCONTRADOS EN LAS ENERGIAS DE LOS GAP SON MENORES A LOS QUE PRESENTAN LOS COMPUESTOS TERNARIOS.
EL ESTUDIO DE LAS LAMINAS DELGADAS DE CUGASE2 Y CUGATE2 HAN MOSTRADO QUE EXISTE UN RANGO EN LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO 210 C Y 200-250 C RESPECTIVAMENTE PARA LAS CUALES EL MATERIAL PRESENTA FASE UNICA.
LAS PROPIEDADES DE ESTAS LAMINAS SON TAMBIEN CARACTERISTICAS DE UN SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO PRESENTANDO UNOS VALORES DEL 1ER GAP DIRECTO DE 1.59 EV Y 1.23 EV RESPECTIVAMENTE.
