Resumen de Fotooxidacion de nitrito a nitrato catalizada por materiales semiconductores
El objetivo de la presente tesis consiste en estudiar la cinetica de la fotooxidacion del ion nitrito bajo distintas condiciones experimentales, en presencia de oxidos metalicos semiconductores con capacidad de actuar como catalizadores. El interes de este estudio reside en averiguar si determinados oxidos (oxidos de hierro, titanio, zinc, wolframio, etc...), que estan presentes en atmosferas urbanas, son activos en la oxidacion fotocatalitica del ion nitrito a nitrato en fase acuosa. A partir de los resultados presentados en este trabajo se puede concluir que algunos semiconductores pueden jugar un papel no despreciable actuando como fuente de radicales hidroxilo en procesos quimicos en fases acuosas. Se ha observado que el proceso de oxidacion fotocatalitica tiene lugar en la capa de adsorcion del semiconductor, siguiendo una cinetica de langmuir-hinshelwood, y se han obtenido las constantes cineticas y de equilibrio de adsorcion del nitrito en el tio2p-25 (degussa) y el zno. Se ha demostrado que, en suspensiones acuosas del tio2 y en presencia de sulfito, la fotooxidacion del nitrito ocurre, mayoritariamente, por reaccion con los radicales generados en la banda de conduccion mientras que el sulfito se oxida a sulfato, mayoritariamente por reaccion con los huecos fotogeneradores en la banda de valencia.
