Resumen de Aportaciones al diseño de procesadores gaas. Parametros tecnologicos
La tecnologia de arseniuro de galio (gaas) ofrece importantes ventajas para el diseño de procesadores: alta velocidad (la movilidad de los electrones en gaas es aproximadamente seis veces mayor que en silicio), bajo consumo de potencia, tolerancia a temperaturas extremas y a la radiacion. Problemas asociados con la fabricacion limitan actualmente el nivel de integracion y el rendimiento de produccion (yield). Otro inconveniente es que el galio (al contrario que el silicio) es un componente raro y que el gaas es un compuesto que requiere un esfuerzo adicional para crear verificar y mantener su composicion. El desarrollo de los circuitos logicos en gaas se centra fundamentalmente en los transistores de efecto (mesfet) y los dios schottky (sd). La baja movilidad de los huecos origina que se utilicen unicamente dispositivos de tipo n. La utilizacion de mesfet origina soluciones con reducidos margenes logicos, alta sensibilidad a las capacidades de carga, etc. El diseño de procesadores vlsi monoliticos en gaas esta muy limitado por el bajo nivel de integracion de la tecnologia, el alto coste de fabricacion y la complejidad del escenario de diseño. Quizas por ello, la industria de tecnologia gaas digital se ha centrado en la produccion de circuitos msi/lsi, celulas estandar y redes de puertas, para su integracion sobre tarjetas. El objetivo del presente trabajo es estudiar la incidencia de diversos parametros tecnologicos y de las tecnicas de realizacion de circuitos integrados en el primer ciclo de diseño (alto nivel en el que se estudia la viabilidad de la realizacion del esquema logico, se hace la particion del sistema y la organizacion de los bloues, se traza al plano base de replanteo, se estiman las prestaciones y se tantean optimizaciones del diseño a alto nivel. Todo ello aplicado al diseño de procesadores digitales de proposito general no monoliticos en gaas. Posteriormente se realiza un analisis algoritmico que
