Electrodeposition and characterization of znx (x=se, te) semiconductor thin films

• G. RIVEROS ^[1] ; H GÓMEZ ^[1] ; R. HENRÍQUEZ ^[1] ; R. SSHREBLER ^[1] ; R. CÓRDOVA ^[1] ; R. E. MAROTTI ^[2] ; E.A. DALCHIELE ^[2]
  1. [1] Universidad Católica de Valparaíso Instituto de Química
  2. [2] Facultad de Ingeniería Instituto de Física
• Localización: Journal of the Chilean Chemical Society (Boletín de la Sociedad Chilena de Química), ISSN-e 0717-6309, ISSN 0366-1644, Vol. 47, Nº. 4, 2002, págs. 411-429
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    El presente trabajo describe la síntesis y la caracterización de películas delgadas de ZnX (X = Se y Te) obtenidas por electrodeposición a potencial constante en medio ácido. Previamente, se realizó un estudio voltamétrico y fotovoltamétrico sobre diferentes substratos conductores los que permitieron determinar las mejores condiciones para la electro obtención de estos compuestos. Las películas delgadas de ZnSe y de ZnTe fueron analizadas por diferentes técnicas (SEM, EDS, XRD y medidas ópticas). Las películas de ZnTe presentaron una composición muy cercana a la estequiometrica, en tanto que las de ZnSe presentaron un exceso de Se el cual puede ser eliminado por un adecuado tratamiento térmico. La caracterización óptica de ambos semiconductores depositados sobre titanio arrojó valores de ancho de banda prohibida de transición directa de 2,64 eV para ZnSe y 2,27 eV para ZnTe, muy cercanos a los aceptados en bibliografía.

  • English

    In present work we report the one step electrodeposition of ZnX (X = Se y Te) thin films in acid solution. In order to establish the appropriate conditions for the electrodeposition, a voltammetric and photovoltammetric study on different substrates was previously performed. The films were analyzed by different techniques (SEM, EDS, XRD and optical reflectance). The composition of the ZnTe films was very close to the stoichiometric one, instead, ZnSe films presented a selenium excess that can be eliminated with a proper annealing. Optical reflectance characterization of ZnSe and ZnTe samples grown on titanium gave direct band gaps values of 2.64 eV and 2.27 eV, respectively, in agreement with those reported in the bibliography.