Mediciones espectrales Fotoacústicas(pas) de películas semiconductoras de Silicio Amorfo

• Fernández Chillcce, Enver ^[1] ; Eyzaguirre Gorvenia, Carmen ^[1] ; Valera Palacios, Aníbal ^[1] ; Castillo, Guido ^[1] ; Lomer, Mauro ^[2]
  1. [1] Universidad Nacional de Ingeniería

     Universidad Nacional de Ingeniería

     Perú

     
  2. [2] Universidad de Cantabria

     Universidad de Cantabria

     Santander, España

     
• Localización: TECNIA, ISSN-e 2309-0413, ISSN 0375-7765, Vol. 9, Nº. 2, 1999, págs. 47-51
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
• Enlaces
  • Texto completo
• Resumen
  • español

    En este trabajo se presenta el resultado de la caracterización fotoacústica (PAS) de películas finas de silicio amorfo mediante mediciones espectrales de transmisión y absorción. En base a muestras semiconductoras obtenidas por el método de descarga plasmática reactivo se obtienen los parámetros ópticos del material (índice de refracción y coeficientes de absorción) en un amplio rango espectral, en buena correspondencia con evaluaciones previas . Determinándose así finalmente la energía del cuasi gap (Tauc) y el modelo de bandas del semiconductor de a-Si:H.

  • English

    In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.