Los nuevos MOSFET de potencia de canal N aprovechan las avanzadas capacidades de disipación de calor para soportar mayores corrientes de automoción

• Autores: Toshiba Electronics
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 820, 2023, págs. 18-18
• Idioma: español
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