Resumen de Medida de la reflectancia de fotodiodos de InGaAs/InP

A. L. Muñoz Zurita, Joaquín Campos Acosta, Alicia Pons Aglio, A. S. Shcherbakov

• español

  La reflectancia de un fotodiodo, junto con su eficiencia cuántica interna, determinan el valor de la responsividad espectral, característica radiométrica fundamental de estos dispositivos usados en la medida de radiación óptica. En este trabajo se presenta el montaje experimental y los resultados obtenidos al medir la reflectancia de fotodiodos de InGaAs/InP de los usados habitualmente en laboratorios nacionales, procedentes de tres fabricantes diferentes. Asimismo se estudia la variación de la reflectancia con el estado de polarización de la radiación incidente para ángulos pequeños. Los resultados obtenidos indican que algunos modelos poseen una estructura antirreflejante en su superficie sensible y que para ángulos menores que 7, 4º, la reflectancia no cambia con el estado de polarización, dentro de la incertidumbre de las medidas.

• English

  Both the reflectance and the internal quantum efficiency determine the photodiode spectral responsivity, which is the radiometric characteristic of interest in the fields where these devices can be used for optical radiation measurements. In this work, we present the experimental set-up for measuring the photodiode reflectance as well as the results of such measurements related to InGaAs/InP-photodiodes exploited in national laboratories and coming from three different manufacturers. Changing the reflectance with varying the polarization state of the incoming optical radiation for small angles of incidence has been also studied. The obtained experimental results show that some models of photodiodes have got an anti-reflecting coating on their sensitive facets and that reflectance does not change with varying the light polarization state within the measurement uncertainty, when the angles of incidence were smaller that 7,4º