Resumen de Espectroscopía Raman bajo presión del compuesto In2Se3
R. Vilaplana, S. Gallego, Antonio Nadal Gisbert, José Enrique Crespo Amorós
En el presente trabajo se presenta la caracterización del compuesto In2Se3 en condiciones de alta presión (hasta 20 GPa) desde el punto de vista vibracional. Así mismo, se describe el uso de la técnica la espectroscopia Raman y las medidas bajo presión utilizando las celdas de yunques de diamante. Se abordan algunas cuestiones abiertas relacionadas con las transiciones estructurales de compuesto In2Se3 gracias a la información proporcionada por fonones calculados mediante la técnica computacional Ab initio o de primeros principios. Los resultados muestran que este compuesto sufre una transición de fase a 0.9 GPa desde su estructura inicial romboédrica (con grupo espacial R3m) a una estructura monoclínica distorsionada (C2/m). Posteriormente, se produce una segunda transición de fase a una estructura de tipo Bi2Te3 (R-3m) alrededor de 10 GPa. Esta última fase se mantiene estable hasta aproximadamente 20 GPa. Los cálculos Ab initio en este compuesto han sido determinantes para identificar la fase C2/m en las medidas Raman, así como el uso de filtros adecuados con el fin de evitar que la muestra se descomponga por efecto térmico del láser.
