Síntesis de óxidos conductores transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio por coprecipitación química

• Autores: Silvia Maioco, Claudia Vera, Natan Rajchenberg, Ricardo Aragón
• Localización: Avances en Ciencias e Ingeniería, ISSN-e 0718-8706, Vol. 4, Nº. 4, 2013, págs. 7-13
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Transparent conducting oxide synthesis of aluminium doped zinc oxides by chemical coprecipitation
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    Los oxidos de zinc dopados con Al (AZO) son promisorios reemplazantes de los oxidos de indio dopados con Sn (ITO) pero sus peliculas delgadas muestran un amplio rango de propiedades fuertemente dependientes de las condiciones del proceso de deposicion. Se examinan ceramicos de granulometria submicrometrica de oxido de zinc dopado con 1% de aluminio, preparados por coprecipitacion en solucion acuosa, a partir de Zn(NO3)2 y Al(NO3)3, sinterizados a 1200ºC y subsecuentemente templados en atmosfera controlada de 10-16 atm de oxigeno, a 1000ºC. La resistividad electrica disminuye en dos ordenes de magnitud en las primeras dos horas de templado y el coeficiente Seebeck cambia de -140 a -50 ÊV/K gradualmente en 8 h. Se concluye que el aumento de la movilidad domina sobre el de densidad de portadores, inducido por cambios de la estequiometria metal oxigeno.

  • English

    Aluminium doped zinc oxides (AZO) are promising replacements for tin doped indium oxides (ITO) but thin films show a wide range of physical properties strongly dependent on deposition process conditions. Submicrometric 1% aluminum doped zinc oxide ceramics (AZO) are examined, prepared by coprecipitation, from Zn(NO3)2 and Al(NO3)3 aqueous solutions, sintered at 1200°C and subsequently annealed in 10-16 atm controlled oxygen fugacity atmospheres, at 1000°C. Electrical resistivity diminishes by two orders of magnitude after two hours of annealing and the Seebeck coefficient gradually changes from -140 to -50 ìV/K within 8 h. It is concluded that increased mobility is dominant over the increased carrier density, induced by changes in metal-oxygen stoichiometry.