Se han estudiado los cambios fotoinducidos en el coeficiente de absorción y en las constantes ópticas de películas delgadas amorfas de GeS2 , depositadas oblicuamente. Se ha observado un incremento anómalo en el espesor, dependiendo la magnitud de esta foto-expansión del ángulo de deposición. Se ha detectado un cambio máximo en el espesor del 14 % en la película de GeS2 depositada con 45° de incidencia. El fotoaclarado conlleva un aumento del valor del ''gap'' óptico, en algunos casos cercano a 0.4 eV. El fotoaclarado de las películas amorfas de GeS2, iluminadas en aire, viene acompañado por una foto-oxidación: se ha detectado una capa de óxido, de espesor menor que ~ 30 nm, sobre la película amorfa de GeS2, que actúa como un catalizador del fenómeno fotoindu-cido en estudio
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