Resumen de Láminas delgadas aislantes derivadas del silicio depositado mediante la técnica ECR-CVD
Eugenio S. García Granados, Ignacio Mártil de la Plaza, G. González-Díaz
En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades opticas, estructura de enlaces, estructura de defectos y composición, de láminas delgadas de SiNx: H y SiOx depositadas mediante la técnica de depósito químico en fase vapor excitada por resonancia ciclotrónica de electrones. Se realiza un estudio detallado de la influencia de las variables de depósito (potencia de microondas, relación de flujos y temperatura de depósito) sobre las propiedades mencionadas, por el que se concluye que es posible obtener láminas de SÍNx: H con cocientes [N]/[Si] desde 0.25 a 1.49, con un contenido de hidrógeno inferior al 10 %at., a una temperatura de depósito nunca por encima de 200ºC. Asimismo, se presenta un estudio sobre estructuras del tipo metal-aislante-semiconductor fabricadas sobre sustratos semiconductores de Si e InP. Para ambos tipos de estructura, se obtienen distribuciones de estados en la intercara aislante-semiconductor del orden de cm-2 eV-1 para el caso del Si y2x10^12 cm-2 eV-1 para el caso InP lo que permiten la utilización de estas estructuras en dispositivos de efecto campo.
