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Películas delgadas de ZnO impurificadas con aluminio y flúor preparadas por sol-gel.

  • Autores: Slvador Tirado
  • Localización: Avances en Ciencias e Ingeniería, ISSN-e 0718-8706, Vol. 3, Nº. 2, 2012, págs. 87-96
  • Idioma: español
  • Títulos paralelos:
    • THIN FILMS OF ZINC OXIDE DOPED WITH ALUMINUM AND FLUORIDE PREPARED BY SOL-GEL
  • Enlaces
  • Resumen
    • español

      Se han fabricado peliculas delgadas de oxido de cinc impurificadas con aluminio y fluor (ZnO:Al:F), mediante el proceso de sol-gel y la tecnica de inmersion repetida. Las peliculas se depositaron sobre sustratos de vidrio sodo-calcico. Se ha estudiado el efecto del envejecimiento del sol y el espesor de las peliculas sobre estructura, morfologia, propiedades opticas y electricas. Peliculas policristalinas ZnO:Al:F resultaron con orientacion preferencial del plano (002). Resulto un tamano de cristal para las peliculas en el rango de 18-39 nm. En las mejores peliculas se registraron valores de 5x10-1 y 12x10-1 �¶ cm para la resistividad. Las peliculas presentaron una transmitancia de 75 a 85%. De los espectros UV se evaluo un ancho de banda de 3.31 a 3.34 eV para las peliculas. Las peliculas ZnO:Al:F al 0.5% at., presentan propiedades fisicas y quimicas tales, que podrian aplicarse en celdas solares en tecnologia de pelicula delgada

    • English

      Thin films of zinc oxide doped with aluminum and fluoride, ZnO:Al:F which were manufactured by sol-gel process and repeated immersion technique. The films were deposited on soda-lime glass substrates. The effects of aging from the sun and the thickness of the films on the structure, morphology and optical and electrical properties of the films have been studied. The ZnO:Al:F at.% films were crystalline with a preferential orientation in the plane (002). It turned a crystal size for the films in the range of 18-39 nm. In the best films values of 5x10-1 and 12x10-1 Ù cm for the resistivity were registered. The films showed a transmittance of 75 to 85%. From the UV spectra of the films, a bandwidth of 3.31 to 3.34 eV was evaluated. The ZnO:Al:F at 0.5 at.% films, have such physical and chemical properties, that could be applied in solar cells thin film technology.


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