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Resumen de Propuesta de aproximación empírica para solución de la ecuación de difusión ambipolar

Leobardo Hernández González, Abraham Claudio Sánchez, Marco Antonio Rodríguez, Juan Carlos Yris Pastor, Sergio Núñez Pérez

  • español

    El desarrollo de modelos físicos para dispositivos de potencia está estrechamente relacionado a la solución de la ecuación de difusión ambipolar (ADE), ecuación que se considera como la última aproximación basada en la física del semiconductor para el cálculo del comportamiento de los portadores en la región de bajo dopado. En la literatura se han propuestos diferentes aproximaciones como solución de la ADE, donde el nivel de exactitud es dependiente del número de términos utilizados. En este artículo se presenta una propuesta de aproximación empírica dependiente de la longitud de difusión ambipolar como solución de la ADE, la metodología de solución no queda limitada a un número de términos por lo que es posible una mayor exactitud de resultados. El conjunto de ecuaciones resultantes son implementadas en el simulador de circuitos eléctricos Pspice para una estructura de diodo de potencia, los resultados de simulación del modelo son comparados con valores experimentales reportados en la literatura especializada obteniéndose una aproximación adecuada para su aplicación en sistemas de potencia.

  • English

    The development of physical models for power devices this closely related to solution of the diffusion equation ambipolar (ADE), equation that is considered as the last approximation based on physics of the semiconductor for the calculation of the behavior of the carriers in the region of low doping. In the literature they have proposed different approximations as solution of ADE, where the level of accuracy is dependent of number of utilized terms. In this article we have a proposal of empiric approximation depend of the diffusion length ambipolar as solution of ADE, the solution methodology is not limited to a number of terms for what is possible a bigger accuracy of results. The group of resulting equations is implemented in the simulator of electric circuits Pspice for a structure of power diode, the results of simulation of model are compared with experimental values reported in the specialized literature obtained an appropriate approximation for its application in power systems.


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