Improved Resistance Against the Reductive Ambient Annealing of Ferroelectric Pb (Zr, Ti) O~3 Thin Film Capacitors with IrO~2 Top Electrode

• Autores: Y. Shimamoto, Y. Fujisaki, K. Kushida Abdelghafar, H. Miki
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 4, 1998, pág. 518
• Idioma: inglés
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