Se crecieron películas delgadas de Dióxido de Vanadio VO2 utilizando un sistema Magnetrón Sputtering R.F. a 13.56 MHz, sobre substratos de Zafiro c(0001), SrTiO3 (100), Si (100) y vidrio. La temperatura del substrato durante el creci-miento se mantuvo constante a 480 °C. Las películas fueron fabricadas en atmósfera de Argón y Oxígeno a 9x10-3 mbar. Se observa el efecto del substrato sobre las propiedades eléctricas mediante medidas de resistencia eléctrica en función de la temperatura. Las películas presentan una transición de fase aislante-metal y una variación de la resistencia de 3 órdenes de magnitud a 68 °C. Por análisis DRX se encontró que las muestras depositadas sobre substratos de zafiro presentan mejor orientación en el crecimiento.
We have grown VO2 thin films by R.F Magnetron Sputtering at 13.56MHz on Sapphire c(0001), SrTiO3 (100), Si (100) and glass substrates. The substrate temperature was kept at 480ºC during the deposition process. The films were grown in argon and oxygen atmosphere at 9x10-3 mbar. Electrical resistance as a function of temperature measurements, shows the sub-strate effects on electrical properties and a semiconductor to metallic phase transition with electrical resistance changes as large as 103 at 68 °C. By XRD analysis was found that the deposited samples on sapphire�s substrates present better orien-tation in the growth.
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