Trapped charge and stress induced leakage current (SILC) in tunnel SiO2 layers of de-processed MOS non-volatile memory devices observed at the nanoscale.

• Autores: M. Lanza, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, G. Ghidini, A. Sebastiani
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1188-1191
• Idioma: inglés
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